檢索結果：共8筆資料 檢索策略： "doping".ekeyword (精準) and cadvisor.raw="周賢鎧"
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本研究分為兩階段，第一階段以Cu(B)薄膜作為硼源，以化學氣相沉積法製備硼摻雜石墨烯，並以純石墨烯做為比較，探討其性質差異。由拉曼光譜、UV-vis光譜、XPS能譜分析其材料特性。於拉曼光譜可以觀察…
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本研究分成四部分，第一部分為以聚碳矽烷作為前驅物的化學氣相沉積法製備矽摻雜石墨烯 (Si-doped graphene, SiG)，以及利用氮氣微波電漿將原石墨烯轉化為氮摻雜石墨烯 (N-doped…
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此研究主要為三部分，第一部分是透過化學氣相沉積方式且利用加熱帶加熱聚二甲基矽烷之前驅物生長出矽摻雜石墨烯，與純石墨烯作為比較，探討其性質。石墨烯以Raman光譜、UV-vis光譜以及XPS進行分析。…
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本研究分為兩個部分，第一部分為使用反應式濺鍍法(Reactive sputtering)沉積摻釩之類鑽碳薄膜(V-DLC)，透過改變工作壓力調整V-DLC薄膜的表面形貌和結構，藉由SEM、R…
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本研究使用磁控式濺鍍，以石英玻璃作為底材，以反應式濺鍍沉積二氧化鈦及氮化鈦薄膜，其中氮化鈦薄膜再於大氣環境下500 ℃退火處理形成氮摻雜二氧化鈦薄膜。以二氧化鈦及氮摻雜二氧化鈦薄膜作為光觸媒之材料，…
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本研究使用微波電漿化學氣相沉積系統(Microwave plasma chemical vapor deposition, MPCVD)在CH4/Ar/N2氣體混合下合成氮摻雜的超奈米晶鑽石…
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本研究主要分為三部份，首先以Cu(B)薄膜作為硼摻雜來源，透過快速升溫化學氣相沉積系統(Rapid thermal chemical vapor deposition system, RTCVD)來…